{"id":10210,"date":"2004-05-31T10:11:00","date_gmt":"2004-05-31T13:11:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/?p=10210"},"modified":"2024-05-31T10:15:34","modified_gmt":"2024-05-31T13:15:34","slug":"gilson-inacio-wirth","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/gilson-inacio-wirth\/","title":{"rendered":"GILSON INACIO WIRTH, Prof. Dr."},"content":{"rendered":"\n

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GILSON INACIO WIRTH, Prof. Dr.<\/span><\/h3>\n\n\n
Engenharia El\u00e9trica<\/a><\/div>\n\n\n

Departamento: Engenharia El\u00e9trica (DELET)<\/a><\/strong><\/h4>\n\n\n\n
\n\n\n\n

\"\" Compet\u00eancias<\/strong><\/h4>\n\n\n\n

O Prof. Gilson Wirth recebeu os t\u00edtulos de Bacharel e Mestre em Engenharia El\u00e9trica pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Brasil, em 1990 e 1994, respectivamente. Em 1999 concluiu seu doutorado em Engenharia El\u00e9trica na Universidade de Dortmund, Alemanha. Desde 2007, atua como professor no Departamento de Engenharia El\u00e9trica da UFRGS, onde j\u00e1 foi coordenador dos cursos de gradua\u00e7\u00e3o e p\u00f3s-gradua\u00e7\u00e3o. Anteriormente, foi professor e chefe do Departamento de Engenharia da Computa\u00e7\u00e3o na Universidade Estadual do Rio Grande do Sul (UERGS). O Prof. Wirth dedica-se \u00e0 pesquisa em confiabilidade e rendimento de dispositivos e circuitos MOS, abordando temas como ru\u00eddo de baixa frequ\u00eancia, instabilidade por temperatura de polariza\u00e7\u00e3o, efeitos de radia\u00e7\u00e3o e t\u00e9cnicas de design para melhoria de rendimento e confiabilidade. Seus projetos incluem o desenvolvimento de chips com arquitetura h\u00edbrida de r\u00e1dio definido por software e hardware para redes m\u00f3veis ad hoc, e a pesquisa dos efeitos da radia\u00e7\u00e3o ionizante em circuitos integrados. Ele tamb\u00e9m est\u00e1 envolvido em iniciativas como o INCT NAMITEC, que foca na inova\u00e7\u00e3o em micro e nanoeletr\u00f4nica, e em sinapses eletr\u00f4nicas para computa\u00e7\u00e3o neurom\u00f3rfica. Sua colabora\u00e7\u00e3o com empresas e grupos de pesquisa internacionais fortalece o impacto de suas contribui\u00e7\u00f5es, sendo reconhecido como Distinguished Lecturer pela IEEE Electron Devices Society e anteriormente pela IEEE Circuits and Systems Society. Suas pesquisas est\u00e3o em est\u00e1gios avan\u00e7ados de maturidade tecnol\u00f3gica (TRL), evidenciando seu papel crucial na inova\u00e7\u00e3o tecnol\u00f3gica.
– Este texto foi gerado por intelig\u00eancia artificial (AI) generativa, baseado no conte\u00fado do curr\u00edculo Lattes do Pesquisador –<\/sub><\/p>\n\n\n\n

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\n

\"\" Linhas de pesquisa<\/strong><\/h4>\n\n\n\n

Microeletronica; Modelagem de Dispositivos MOS; microeletr\u00f4nica.<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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\"\"Especialidades<\/strong><\/strong>
(clique numa delas para conhecer mais especialistas)<\/sub><\/strong> <\/strong><\/h4>\n\n\n
Ci\u00eancia da Computa\u00e7\u00e3o<\/a>, <\/span>Materiais e Componentes Semicondutores<\/a>, <\/span>Materiais El\u00e9tricos<\/a>, <\/span>Metodologia e T\u00e9cnicas da Computa\u00e7\u00e3o<\/a>, <\/span>Sistemas de Informa\u00e7\u00e3o<\/a><\/div>\n\n\n

<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Copiar lista de LINHAS DE PESQUISA e de \u00c1REAS ADICIONAIS para o campo RESUMO da barra lateral direita:<\/span><\/p>\n\n\n\n

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\"\"Laborat\u00f3rio \/ Grupo de Pesquisa<\/strong>: <\/a><\/strong><\/h4>\n\n\n\n
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\"\"Contato<\/strong>: wirth@inf.ufrgs.br<\/a> ou Preencha o formul\u00e1rio de contato<\/a><\/strong><\/h4>\n\n\n\n
\n\n\n\n

\"\"Siga nas redes<\/strong>
<\/a>\"\"<\/a> \"\"<\/a> \"\"<\/a> \"\"<\/a><\/h4>\n\n\n\n
\n\n\n\n

Linhas de pesquisa (propesq)<\/h4>\n\n\n\n

Confiabilidade em Dispositivos Semicondutores de Dimens\u00f5es Nanom\u00e9tricas; Confiabilidade no Projeto e Fabrica\u00e7\u00e3o de Circuitos Integrados Anal\u00f3gicos e Digitais; Cons\u00f3rcio em Micro- e Nano-Eletr\u00f4nica; Metodologias Estat\u00edsticas no Projeto de Sistemas Computacionais Integrados em Sil\u00edcio; Modelagem de Variabilidade e Efeitos Transientes em N\u00edvel de Dispositivo e Circuito<\/strong><\/p>\n\n\n\n

Palavra-chaves de orienta\u00e7\u00f5es<\/strong><\/h4>\n\n\n\n

8051 microcontroller; Analog circuits; Analog design; Aplica\u00e7\u00e3o dos computadores; ASIC; Bandgap; Bandgap references; Bias temperature instability (BTI); BTI; Bulk- BICS; Capacitive coupling coefficient; Charge retention; Circuit simulation; Circuit simulations; Circuitos analogicos; Circuitos digitais; Circuitos eletr\u00f4nicos; Circuitos integrados; Clock skew; CMOS; Current sensor; Deeply scaled transistors; Delay; Dispositivos eletr\u00f4nicos; DNA sequence scanning; Dose effect; Dynamic programming; Dynamic storage; Edit distanve; Efeitos da radia\u00e7\u00e3o; Electric simulation; Electrical engineering; Electrical model; Electronic design automation; ELT; Enclosed-gate; Ensemble Monte Carlo; Flicker noise; Flip-flop characterization; Floating gate transistor; FPGA; Halo implants; Hardened by design; Hold time violations; Ionizing particles; ionizing Radiation; Large-scale characterization; LC-tank; Leakage current; Levenshtein distance; Low frequency noise (LFN); Low-cost electronics; Low-frequency noise; Microcontroladores; Microelectronics; Microeletronica; Microprocessadores; Modelagem Computacional; Monte Carlo analyses; Monte Carlo Method; MOS transistor; Mosfet; MOSFETs; Nanoparticles; NBTI; On-chip testing; Operational amplifier; Oscillators; Performance degradation (Aging); Power spectral density (PSD); Process variability; Propagation-delay Time; Protein sequences; Query sequence; Race immunity; Radia\u00e7\u00e3o; Radia\u00e7\u00e3o ionizante; Radiation; Radiation hardening; Random telegraph noise (RTN); Read noise margin; Re-computation; reliability; Reliability of integrated circuits; RHBD; RTN; RTS; RTS noise; Ru\u00eddo; SEE; Sensores; SET broadening; Simula\u00e7\u00e3o computacional; Simula\u00e7\u00e3o num\u00e9rica; Single event transient; Sistemas digitais; Smith-Waterman; SRAM; SSTA; Statistical model; Subject sequence; Systolic array; TCAD; Thermal noise; Thin-film transistors; Threshold voltage; TID; Total dose effects; Total ionization dose; Total ionizing dose; Transient event detection; Transistores; Traps; Variability; VLSI; Voltage reference; Voltage references; Within-die; yield; ZnO<\/strong><\/strong><\/p>\n\n\n\n

Palavras-chaves(2) das publica\u00e7\u00f5es<\/strong><\/h4>\n\n\n\n

An\u00e1lise estat\u00edstica; Analog circuits; Built-in current sensor; Circuitos; Circuitos analogicos; Circuitos digitais; Circuitos el\u00e9tricos; Circuitos eletr\u00f4nicos; Circuitos integrados; CMOS; Confiabilidade; Design for yield; Digital single event transients; Efeitos da radia\u00e7\u00e3o; Engenharia el\u00e9trica; Estat\u00edstica aplicada; Fault tolerance; FPGA; Histerese; Load-induced pulse broadening effect; Low-frequency (LF) noise; M\u00e9todo de Monte Carlo; Microeletronica; Modelos estatisticos; Monte Carlo methods; MOS transistors; Mosfet; Nanoparticulas; Noise modeling; Osciladores; \u00d3xido de zinco; Probabilistic analysis; Process variability; Process variations; Propagacao; Propagation-induced pulse broadening effect; Radia\u00e7\u00e3o ionizante; RF circuits; Ru\u00eddo; Semicondutores; Sensores; SET generation; SET propagation; Simula\u00e7\u00e3o; Simula\u00e7\u00e3o computacional; Simulacao eletrica; Simula\u00e7\u00e3o num\u00e9rica; Soft errors; Toler\u00e2ncia a falhas; Transistores; Variability; VLSI; Yield estimation<\/strong><\/p>\n\n\n\n

A\u00e7\u00f5es adicionais <\/span><\/p>\n\n\n\n

Marcar as \u00c1REAS abaixo no campo categorias na barra lateral direita:
<\/span>Engenharia El\u00e9trica\n<\/span><\/p>\n\n\n\n

Copiar lista de Subareas\/especialidades abaixo para o campo TAGS da barra lateral direita:<\/span>
Materiais El\u00e9tricos, Materiais e Componentes Semicondutores, Ci\u00eancia da Computa\u00e7\u00e3o, Metodologia e T\u00e9cnicas da Computa\u00e7\u00e3o, Sistemas de Informa\u00e7\u00e3o\n<\/span><\/p>\n\n\n\n

Inserir imagem (foto do professor) no campo Definir imagem destacada na barra lateral direita<\/span><\/p>\n\n\n\n

Copiar o TRL abaixo para o campo TRL da barra lateral direita
<\/span>4<\/span>
Ajustar o ano de publica\u00e7\u00e3o de acordo com o TRL (Ex: TRL 7 -> ano de publica\u00e7\u00e3o = 2007)<\/span><\/p>\n\n\n\n

<\/p>\n\n\n\n

<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Microeletronica; Modelagem de Dispositivos MOS; microeletr\u00f4nica.<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":10213,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_editorskit_title_hidden":false,"_editorskit_reading_time":0,"_editorskit_is_block_options_detached":false,"_editorskit_block_options_position":"{}","_eb_attr":"","_monsterinsights_skip_tracking":false,"ngg_post_thumbnail":0,"footnotes":""},"categories":[795],"tags":[2155,2699,2687,2590,2770],"especialidade":[2360],"class_list":["post-10210","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-engenharia-eletrica","tag-ciencia-da-computacao","tag-materiais-e-componentes-semicondutores","tag-materiais-eletricos-2","tag-metodologia-e-tecnicas-da-computacao","tag-sistemas-de-informacao","especialidade-trl-4"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/10210","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=10210"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/10210\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/media\/10213"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=10210"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=10210"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=10210"},{"taxonomy":"especialidade","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/linkee\/wp-json\/wp\/v2\/especialidade?post=10210"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}