Defesa P\u00fablica do Exame de Qualifica\u00e7\u00e3o para Doutorado do aluno Thales Exenberger Becker<\/p>\n\n\n\n
Data: 02 de Setembro de 2020 – quarta-feira Banca Examinadora: T\u00edtulo da Proposta de Tese: “MODELO EL\u00c9TRICO PARA RANDOM TELEGRAPH NOISE INCLU\u00cdNDO O EFEITO DE ACOPLAMENTO DE ARMADILHAS E A COMUTA\u00c7\u00c3O DE ESTADO EM RRAM” Palavras chaves: RRAM. Confiabilidade. Random Telegraph Noise. Modelo de Acoplamento Resistivo”<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Defesa P\u00fablica do Exame de Qualifica\u00e7\u00e3o para Doutorado do aluno Thales Exenberger Becker Data: 02 de Setembro de 2020 – quarta-feiraHor\u00e1rio: 13h30minA defesa ser\u00e1 realizada por videoconfer\u00eancia atrav\u00e9s do link: https:\/\/mconf.ufrgs.br\/webconf\/00191674 Banca Examinadora:Prof. Dr. Marcelo Antonio Pavanello – Depto. Engenharia El\u00e9trica – Centro Universit\u00e1rio da FEIProf. Dr. S\u00e9rgio Bampi – PGMICRO – UFRGSProf. Dr. Altamiro Amadeu… Continue a ler »Defesa de Exame de Qualifica\u00e7\u00e3o para Doutorado – Thales Exenberger Becker<\/span><\/a><\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"neve_meta_sidebar":"","neve_meta_container":"","neve_meta_enable_content_width":"","neve_meta_content_width":0,"neve_meta_title_alignment":"","neve_meta_author_avatar":"","neve_post_elements_order":"","neve_meta_disable_header":"","neve_meta_disable_footer":"","neve_meta_disable_title":"","footnotes":""},"categories":[4],"tags":[],"class_list":["post-418","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-eventos"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/418","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=418"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/418\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=418"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=418"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.ufrgs.br\/ppgee\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=418"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}
Hor\u00e1rio: 13h30min
A defesa ser\u00e1 realizada por videoconfer\u00eancia atrav\u00e9s do link: https:\/\/mconf.ufrgs.br\/webconf\/00191674<\/a><\/p>\n\n\n\n
Prof. Dr. Marcelo Antonio Pavanello – Depto. Engenharia El\u00e9trica – Centro Universit\u00e1rio da FEI
Prof. Dr. S\u00e9rgio Bampi – PGMICRO – UFRGS
Prof. Dr. Altamiro Amadeu Susin – PPGEE – UFRGS
Orientador: Prof. Dr. Gilson In\u00e1cio Wirth – PPGEE – UFRGS<\/p>\n\n\n\n
Resumo:
“As mem\u00f3rias de acesso aleat\u00f3rio resistivo (RRAMs) t\u00eam sido cada vez mais objeto de estudo, devido ao seu potencial para serem empregadas em uma s\u00e9rie de novas aplica\u00e7\u00f5es, como em neuro computa\u00e7\u00e3o, dada a sua capacidade de superar em desempenho os dispositivos de mem\u00f3ria atuais, como por exemplo, as mem\u00f3rias de acesso aleat\u00f3rio din\u00e2mico (DRAM), apesar dos presentes desafios relacionados \u00e0 confiabilidade de tal tecnologia. Neste trabalho, apresentamos uma nova observa\u00e7\u00e3o a respeito do Random Telegraph Noise an\u00f4malo (aRTN), afirmando a exist\u00eancia do efeito de acoplamento entre m\u00faltiplas armadilhas, que, quando correlacionadas, produzem padr\u00f5es de desvio de amplitude n\u00e3o-usuais. Com base nesta observa\u00e7\u00e3o, propomos um modelo capaz de descrever as altera\u00e7\u00f5es da resist\u00eancia equivalente de filamentos condutivos de c\u00e9lulas RRAMs, medidos sob tens\u00f5es de leitura (~ 0,1 V), tanto no estado de baixa resist\u00eancia (LRS) como no estado de alta resist\u00eancia (HRS). N\u00e3o obstante, os resultados obtidos atrav\u00e9s do modelo concordam com os dados, de um estudo de caso experimental, obtidos para RRAMs baseadas em di\u00f3xido de tit\u00e2nio, TiO2, e Nitreto de Boro hexagonal, h-BN. Uma vez que o RTN permanece sendo uma preocupa\u00e7\u00e3o relacionada \u00e0 confiabilidade de RRAMs, o modelo pode ser aplicado para auxiliar no entendimento da din\u00e2mica da distribui\u00e7\u00e3o de filamentos condutivo e da atividade de armadilhas.<\/p>\n\n\n\n