Processo de síntese de padrões de oxigênio-18 com barreira passivadora em um substrato

Panorama tecnológico
Os processos mais utilizados para a síntese de padrões de oxigênio-18 são através da formação de filmes de pentóxido de tântalo por meios térmicos ou eletroquímicos.

Descrição da tecnologia
A presente invenção descreve um processo de síntese de padrões do oxigênio-18 utilizando silício (Si) como substrato e SiO2 como barreira passivadora.

Problema resolvido
Em análises de filmes finos contendo oxigênio-18, é desejável por questões de sensibilidade e precisão, ter uma amostra referência contendo o mesmo nuclídeo (oxigênio-18, neste caso). O problema envolvendo os padrões normalmente utilizados é que eles podem se degradar por exposição ao ar durante sua armazenagem.

Aplicações
– Física;
– Química;
– Engenharia de Materiais;
– Engenharia Elétrica.

Vantagens
Nos processos realizados através da formação de filmes de pentóxido de tântalo, pode ocorrer a perda de oxigênio-18 pela exposição ao ambiente, deixando o padrão menos confiável ao longo do tempo. Neste processo, essa degradação é minimizada pela cobertura do padrão com um filme de SiO2 com abundância isotópica natural de oxigênio.

Nível de maturidade da tecnologia (TRL – Technology Readiness Level)

Status e oportunidade
Patente concedida pelo INPI sob n° do pedido BR 10 2012 026044-1.
A patente pode ser encontrada na íntegra no Lume pelo link.

Inventores
Gabriel Vieira Soares
Eduardo Pitthan Filho
Silma Alberton Corrêa
Claudio Radtke
Fernanda Chiarello Stedile

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