Resumo:
As comunicações sem fio vêm passando por um crescimento considerável nas últimas décadas. Aplicações incluindo telefonia celular e redes de computadores têm se tornado parte integral das vidas de um número cada vez maior de pessoas. Grande parte destes sistemas operam em frequências na faixa entre 700 MHz e 6 GHz. Mais recentemente, devido à necessidade de se aumentar as velocidades de transmissão, sistemas sem fio vêm sendo projetados para funcionar em ondas milimétricas, especialmente em torno de 60 GHz e 80 GHz. Para atender sistemas como estes, o custo dos circuitos integrados passa a ser um fator primordial. Um caminho muitas vezes adotado para minimizar estes custos consiste em integrar em silício o maior número possível de componentes de um transmissor ou receptor. Isto inclui circuitos digitais, analógicos e de radiofrequência (RF). Além disso, é desejável integrar, além dos transistores, todos os componentes passivos associados a estes circuitos RF. Neste contexto, o desempenho dos componentes passivos passa a ser crítico para a operação dos circuitos. Nesta palestra, serão abordadas as principais estruturas usadas para realização de componentes passivos em silício, visando aplicações em RF e em ondas milimétricas. Serão apresentadas as principais topologias de resistores, capacitores e indutores integrados para estas frequências, incluindo a sua modelagem. Ainda, serão apresentados em detalhes os principais usos e topologias de transformadores integrados para as diferentes frequências de funcionamento.