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GILSON INACIO WIRTH, Prof. Dr.

Departamento: Engenharia Elétrica (DELET)

 Competências

O Prof. Gilson Wirth recebeu os títulos de Bacharel e Mestre em Engenharia Elétrica pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Brasil, em 1990 e 1994, respectivamente. Em 1999 concluiu seu doutorado em Engenharia Elétrica na Universidade de Dortmund, Alemanha. Desde 2007, atua como professor no Departamento de Engenharia Elétrica da UFRGS, onde já foi coordenador dos cursos de graduação e pós-graduação. Anteriormente, foi professor e chefe do Departamento de Engenharia da Computação na Universidade Estadual do Rio Grande do Sul (UERGS). O Prof. Wirth dedica-se à pesquisa em confiabilidade e rendimento de dispositivos e circuitos MOS, abordando temas como ruído de baixa frequência, instabilidade por temperatura de polarização, efeitos de radiação e técnicas de design para melhoria de rendimento e confiabilidade. Seus projetos incluem o desenvolvimento de chips com arquitetura híbrida de rádio definido por software e hardware para redes móveis ad hoc, e a pesquisa dos efeitos da radiação ionizante em circuitos integrados. Ele também está envolvido em iniciativas como o INCT NAMITEC, que foca na inovação em micro e nanoeletrônica, e em sinapses eletrônicas para computação neuromórfica. Sua colaboração com empresas e grupos de pesquisa internacionais fortalece o impacto de suas contribuições, sendo reconhecido como Distinguished Lecturer pela IEEE Electron Devices Society e anteriormente pela IEEE Circuits and Systems Society. Suas pesquisas estão em estágios avançados de maturidade tecnológica (TRL), evidenciando seu papel crucial na inovação tecnológica.
_{– Este texto foi gerado por inteligência artificial (AI) generativa, baseado no conteúdo do currículo Lattes do Pesquisador –}

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Laboratório / Grupo de Pesquisa:

Contato: wirth@inf.ufrgs.br ou Preencha o formulário de contato

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Linhas de pesquisa (propesq)

Confiabilidade em Dispositivos Semicondutores de Dimensões Nanométricas; Confiabilidade no Projeto e Fabricação de Circuitos Integrados Analógicos e Digitais; Consórcio em Micro- e Nano-Eletrônica; Metodologias Estatísticas no Projeto de Sistemas Computacionais Integrados em Silício; Modelagem de Variabilidade e Efeitos Transientes em Nível de Dispositivo e Circuito

Palavra-chaves de orientações

8051 microcontroller; Analog circuits; Analog design; Aplicação dos computadores; ASIC; Bandgap; Bandgap references; Bias temperature instability (BTI); BTI; Bulk- BICS; Capacitive coupling coefficient; Charge retention; Circuit simulation; Circuit simulations; Circuitos analogicos; Circuitos digitais; Circuitos eletrônicos; Circuitos integrados; Clock skew; CMOS; Current sensor; Deeply scaled transistors; Delay; Dispositivos eletrônicos; DNA sequence scanning; Dose effect; Dynamic programming; Dynamic storage; Edit distanve; Efeitos da radiação; Electric simulation; Electrical engineering; Electrical model; Electronic design automation; ELT; Enclosed-gate; Ensemble Monte Carlo; Flicker noise; Flip-flop characterization; Floating gate transistor; FPGA; Halo implants; Hardened by design; Hold time violations; Ionizing particles; ionizing Radiation; Large-scale characterization; LC-tank; Leakage current; Levenshtein distance; Low frequency noise (LFN); Low-cost electronics; Low-frequency noise; Microcontroladores; Microelectronics; Microeletronica; Microprocessadores; Modelagem Computacional; Monte Carlo analyses; Monte Carlo Method; MOS transistor; Mosfet; MOSFETs; Nanoparticles; NBTI; On-chip testing; Operational amplifier; Oscillators; Performance degradation (Aging); Power spectral density (PSD); Process variability; Propagation-delay Time; Protein sequences; Query sequence; Race immunity; Radiação; Radiação ionizante; Radiation; Radiation hardening; Random telegraph noise (RTN); Read noise margin; Re-computation; reliability; Reliability of integrated circuits; RHBD; RTN; RTS; RTS noise; Ruído; SEE; Sensores; SET broadening; Simulação computacional; Simulação numérica; Single event transient; Sistemas digitais; Smith-Waterman; SRAM; SSTA; Statistical model; Subject sequence; Systolic array; TCAD; Thermal noise; Thin-film transistors; Threshold voltage; TID; Total dose effects; Total ionization dose; Total ionizing dose; Transient event detection; Transistores; Traps; Variability; VLSI; Voltage reference; Voltage references; Within-die; yield; ZnO

Palavras-chaves(2) das publicações

Análise estatística; Analog circuits; Built-in current sensor; Circuitos; Circuitos analogicos; Circuitos digitais; Circuitos elétricos; Circuitos eletrônicos; Circuitos integrados; CMOS; Confiabilidade; Design for yield; Digital single event transients; Efeitos da radiação; Engenharia elétrica; Estatística aplicada; Fault tolerance; FPGA; Histerese; Load-induced pulse broadening effect; Low-frequency (LF) noise; Método de Monte Carlo; Microeletronica; Modelos estatisticos; Monte Carlo methods; MOS transistors; Mosfet; Nanoparticulas; Noise modeling; Osciladores; Óxido de zinco; Probabilistic analysis; Process variability; Process variations; Propagacao; Propagation-induced pulse broadening effect; Radiação ionizante; RF circuits; Ruído; Semicondutores; Sensores; SET generation; SET propagation; Simulação; Simulação computacional; Simulacao eletrica; Simulação numérica; Soft errors; Tolerância a falhas; Transistores; Variability; VLSI; Yield estimation

Ações adicionais

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Engenharia Elétrica

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Materiais Elétricos, Materiais e Componentes Semicondutores, Ciência da Computação, Metodologia e Técnicas da Computação, Sistemas de Informação

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Ajustar o ano de publicação de acordo com o TRL (Ex: TRL 7 -> ano de publicação = 2007)