Copiar o nome do professor/pesquisador para o Título acima e reduzí-lo a 3 termos no máximo – o título serve para gerar o endereço (slug) do post – Após publicar o post, acrescentar Prof. Dr. ou Profª. Drª. ao título (não adicionar antes de publicar, para que o endereço (slug) não contenha o pronome.

RAPHAEL MARTINS BRUM, Prof. Dr.

Departamento: Engenharia Elétrica (DELET)

 Competências

O Prof. Raphael Martins Brum é Doutor em Microeletrônica pela UM2 (Université Montpellier 2, 2014) e possui formação em Engenharia de Computação pela UFRGS (Universidade Federal do Rio Grande do Sul, 2007), além de um “Master” em Sistemas Microeletrônicos pela UM2 (Université Montpellier 2, 2011). Atualmente, é Professor Adjunto do Departamento de Engenharia Elétrica da Escola de Engenharia da UFRGS e do Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica (PGMICRO) da mesma Universidade. Sua pesquisa abrange uma variedade de tópicos na área de microeletrônica, com ênfase em dispositivos spintrônicos e memórias magnetorresistivas. Destacam-se seus trabalhos em modelagem compacta, geração automática de leiautes físicos, caracterização de desempenho e consumo de circuitos spintrônicos, além do desenvolvimento de tecnologias para células lógicas CMOS e algoritmos de posicionamento e roteamento intra-célula. O Prof. Brum também tem contribuído significativamente para projetos de pesquisa de grande escala, como o INCT NAMITEC, que visa avanços em micro e nanofabricação para tecnologias habilitadoras, incluindo inteligência artificial e internet das coisas. Com uma extensa lista de projetos de pesquisa e ensino, o Prof. Brum demonstra um compromisso contínuo com a inovação e a formação de recursos humanos na área da microeletrônica. Suas contribuições têm impacto significativo no desenvolvimento tecnológico e na competitividade industrial do país.
_{– Este texto foi gerado por inteligência artificial (AI) generativa, baseado no conteúdo do currículo Lattes do Pesquisador –}

Copiar lista de LINHAS DE PESQUISA e de ÁREAS ADICIONAIS para o campo RESUMO da barra lateral direita:

Laboratório / Grupo de Pesquisa:

Contato: rmbrum@gmail.com ou Preencha o formulário de contato

Siga nas redes

Linhas de pesquisa (propesq)

Palavra-chaves de orientações

Palavras-chaves(2) das publicações

SRAM Carga crítica Tensão de alimentação Perfil de carga crítica Escalação de tensão dinâmica Método semi-dinâmico Erro suave Curva de carga crítica dependente; semicondutores ; VLSI ; SoC ; memória ; memória não volátil (NVM) ; Memória de acesso aleatório magnético (MRAM) ; sistemas embarcados ; hierarquia de memória Células de MRAM / CMOS híbridas Junção de túnel magnético (MTJ) Binário de transferência de rotação (STT) Anisotropia de magnetização perpendicular (PMA) Normalmente; computação instantânea e instantânea Túnel magnético ; Transistores ; circuitos integrados CMOS ; Escrita ; Interruptores ; Resistência ; Memória de acesso aleatório STT-MRAM; reconfigurabilidade; não volatilidade; baixa potência; memória em lógica

Ações adicionais

Marcar as ÁREAS abaixo no campo categorias na barra lateral direita:
Microeletrônica, Engenharia Elétrica, Ciência da Computação

Copiar lista de Subareas/especialidades abaixo para o campo TAGS da barra lateral direita:
Circuitos Elétricos Magnéticos e Eletrônicos, Sistemas de Computação, Circuitos Eletrônicos, Hardware, Arquitetura de Sistemas de Computação

Inserir imagem (foto do professor) no campo Definir imagem destacada na barra lateral direita

Copiar o TRL abaixo para o campo TRL da barra lateral direita

Ajustar o ano de publicação de acordo com o TRL (Ex: TRL 7 -> ano de publicação = 2007)