Defesa Pública do Exame de Qualificação para Doutorado do aluno Thales Exenberger Becker
Data: 02 de Setembro de 2020 – quarta-feira
Horário: 13h30min
A defesa será realizada por videoconferência através do link: https://mconf.ufrgs.br/webconf/00191674
Banca Examinadora:
Prof. Dr. Marcelo Antonio Pavanello – Depto. Engenharia Elétrica – Centro Universitário da FEI
Prof. Dr. Sérgio Bampi – PGMICRO – UFRGS
Prof. Dr. Altamiro Amadeu Susin – PPGEE – UFRGS
Orientador: Prof. Dr. Gilson Inácio Wirth – PPGEE – UFRGS
Título da Proposta de Tese: “MODELO ELÉTRICO PARA RANDOM TELEGRAPH NOISE INCLUÍNDO O EFEITO DE ACOPLAMENTO DE ARMADILHAS E A COMUTAÇÃO DE ESTADO EM RRAM”
Resumo:
“As memórias de acesso aleatório resistivo (RRAMs) têm sido cada vez mais objeto de estudo, devido ao seu potencial para serem empregadas em uma série de novas aplicações, como em neuro computação, dada a sua capacidade de superar em desempenho os dispositivos de memória atuais, como por exemplo, as memórias de acesso aleatório dinâmico (DRAM), apesar dos presentes desafios relacionados à confiabilidade de tal tecnologia. Neste trabalho, apresentamos uma nova observação a respeito do Random Telegraph Noise anômalo (aRTN), afirmando a existência do efeito de acoplamento entre múltiplas armadilhas, que, quando correlacionadas, produzem padrões de desvio de amplitude não-usuais. Com base nesta observação, propomos um modelo capaz de descrever as alterações da resistência equivalente de filamentos condutivos de células RRAMs, medidos sob tensões de leitura (~ 0,1 V), tanto no estado de baixa resistência (LRS) como no estado de alta resistência (HRS). Não obstante, os resultados obtidos através do modelo concordam com os dados, de um estudo de caso experimental, obtidos para RRAMs baseadas em dióxido de titânio, TiO2, e Nitreto de Boro hexagonal, h-BN. Uma vez que o RTN permanece sendo uma preocupação relacionada à confiabilidade de RRAMs, o modelo pode ser aplicado para auxiliar no entendimento da dinâmica da distribuição de filamentos condutivo e da atividade de armadilhas.
Palavras chaves: RRAM. Confiabilidade. Random Telegraph Noise. Modelo de Acoplamento Resistivo”
