Aluno: Thales Exenberger Becker Orientador: Gilson Inácio Wirth Título: ELECTRICAL CHARACTERIZATION AND MODELING OF RANDOM TELEGRAPH NOISE IN MIM-LIKE RESISTIVE SWITCHING DEVICES Área de Concentração: Engenharia da Computação Data da defesa: 15/03/2022Repositório Digital (LUME /UFRGS): https://lume.ufrgs.br/handle/10183/241913
Gilson Inácio Wirth
- Orientador de Mestrado e Doutorado – Docente Permanente
- Bolsista de Produtividade em Pesquisa 1C CNPq
- Doutor em Engenharia Elétrica, Universitaet Dortmund, Unido, ALEMANHA.
E-mail: gilson.wirth@ufrgs.br
CV Lattes: http://lattes.cnpq.br/1745194055679908
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-4990-5113
- Microeletrônica;
- Modelagem de Dispositivos MOS;
- Materiais e Componentes Semicondutores.
Orientações de teses concluídas
Sensor de Corrente Transiente para um Sistema de Proteção de Circuitos Interligados Contra Erros Induzidos por Radiação Ionizante
Aluno: Alexandre SimionovskiOrientador: Gilson Inácio WirthTítulo: Sensor de Corrente Transiente para um Sistema de Proteção de Circuitos Interligados Contra Erros Induzidos por Radiação IonizanteÁrea de Concentração: Engenharia de ComputaçãoData da defesa: 23/03/2018
Orientações de dissertações concluídas
ANÁLISE DE JITTER CAUSADO PELO RANDOM TELEGRAPH NOISE EM UM OSCILADOR EM ANEL
Aluno: Rodolfo Grosbelli Barbosa Orientador: Gilson Inácio Wirth Coorientador: Fábio Fedrizzi Vidor Título: ANÁLISE DE JITTER CAUSADO PELO RANDOM TELEGRAPH NOISE EM UM OSCILADOR EM ANEL Área de Concentração: Eletrônica Data da Defesa: 18/03/2024 Repositório Digital (LUME / UFRGS): https://lume.ufrgs.br/handle/10183/277052
IMPLEMENTAÇÃO E COMPARAÇÃO DE ALGORITMOS PARA EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DE RTN
Aluno: Cláudia Theis da SilveiraOrientador: Gilson Inácio WirthTítulo: IMPLEMENTAÇÃO E COMPARAÇÃO DE ALGORITMOS PARA EXTRAÇÃO DE PARÂMETROS DE RTNÁrea de Concentração: Engenharia de ComputaçãoData da defesa: 30/04/2021Repositório Digital (LUME /UFRGS): https://lume.ufrgs.br/handle/10183/224414
Trapsimulator – Um Simulador Didático de Ruido RTN
Aluno: Ricardo Carvalho de MelosOrientador: Gilson Inácio WirthTítulo: Trapsimulator – Um Simulador Didático de Ruido RTNÁrea de Concentração: Engenharia de ComputaçãoData da defesa: 16/03/2018
Caracterização Elétrica Temporal de Transistores de Filmes Finos de Nanopartículas de Óxido de Zinco
Aluno: Thales Exenberger BeckerOrientador: Gilson Inácio WirthTítulo: Caracterização Elétrica Temporal de Transistores de Filmes Finos de Nanopartículas de Óxido de ZincoÁrea de Concentração: Engenharia de ComputaçãoData da defesa: 26/02/2018
Artigos
The role of the observation window in the determination of BTI defect time constants and their distribution
LAZARINI, Arthur Yukio Hirata; WIRTH, Gilson Inacio. The role of the observation window in the determination of BTI defect time constants and their distribution. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 19, n. 2, p. 1-5, 2024. DOI: https://doi.org/10.29292/jics.v19i2.855.
RANDOM TELEGRAPH NOISE IN ANALOG CMOS CIRCUITS
M. B. da Silva, G. I. Wirth, H. P. Tuinhout, A. Z. -v. Duijnhoven and A. J. Scholten, “Random Telegraph Noise in Analog CMOS Circuits,” in IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 70, no. 6, pp. 2229-2242, June 2023, doi: 10.1109/TCSI.2023.3261564.
RANDOM TELEGRAPH NOISE BASED TRUE RANDOM NUMBER GENERATOR FOR FULLY INTEGRATED SYSTEMS
Wirth, Gilson; ALVES, PEDRO A B ; da Silva, Roberto . Random Telegraph Noise based True Random Number Generator for Fully Integrated Systems. FLUCTUATION AND NOISE LETTERS, v. 2023, p. 1, 2023.doi.org/10.1142/S021947752350027X
JITTER DUE TO RANDOM TELEGRAPH NOISE: A STUDY ON THE TIME DEPENDENT VARIABILITY OF A RING OSCILLATOR
GROSBELLI BARBOSA, RODOLFO ; PINHEIRO GARCIA, CAROLINE ; FEDRIZZI VIDOR, F´ABIO ; IN´ACIO WIRTH, GILSON . Jitter due to Random Telegraph Noise: a Study on the Time Dependent Variability of a Ring Oscillator. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS), v. 18, p. 1-9, 2023.doi.org/10.29292/jics.v18i3.778
Livros
ZNO THIN-FILM TRANSISTORS FOR COST-EFFICIENT FLEXIBLE ELECTRONICS
VIDOR, F. F, WIRTH, G. I., HELLERINGMANN, U., , : ZNO THIN-FILM TRANSISTORS FOR COST-EFFICIENT FLEXIBLE ELECTRONICS, ISBN: 9783319725550, Springer International Publishing; http://link.springer.com/10.1007/978-3-319-72556-7, 2018.
PROTECTING CHIPS AGAINST HOLD TIME VIOLATIONS DUE TO VARIABILITY
NEUBERGER, G., WIRTH, G. I., REIS, R. A. L., , PROTECTING CHIPS AGAINST HOLD TIME VIOLATIONS DUE TO VARIABILITY, ISBN: 9789400724273, Springer. https://www.springer.com/br/book/9789400724266, 2014.
Capítulo de Livros
AN OVERVIEW ON STATISTICAL MODELING OF RANDOM TELEGRAPH NOISE IN THE FREQUENCY DOMAIN
BOTH, T, WIRTH, G. I., MAURICIO BANASZESKI DA SILVA, TUINHOUT, HANS P.,DUIJNHOVEN, ADRIE ZEGERS-VAN, CROON, JEROEN A., Andries Scholten, AN OVERVIEW ON STATISTICAL MODELING OF RANDOM TELEGRAPH NOISE IN THE FREQUENCY DOMAIN. In: Noise in Nanoscale Semiconductor Devices, ISBN: 9783030374990, Springer International Publishing; URL: http://link.springer.com/10.1007/978-3-030-37500-3_15, 2020.
CHARGE TRAPPING IN MOSFETS: BTI AND RTN MODELING FOR CIRCUITS
WIRTH, G. I., CAO, YU, VELAMALA, J. B. A., SUTARIA, K. B., SATO, T., , CHARGE TRAPPING IN MOSFETS: BTI AND RTN MODELING FOR CIRCUITS. In: Bias Temperature Instability for Devices and Circuits, ISBN: 978-1-4614-7908-6 (Print) 978-1-4614-7909-3 (Online), Springer. http://link.springer.com/book/10.1007/978-1-4614-7909-3/page/2, 2014.
MULTILEVEL RELIABILITY SIMULATION FOR IC DESIGN
SUTARIA, K. B., VELAMALA, J. B. A., WIRTH, G. I., SATO, T., CAO, YU, , MULTILEVEL RELIABILITY SIMULATION FOR IC DESIGN. In: Bias Temperature Instability for Devices and Circuits, ISBN: 9781461479093, Springer. http://link.springer.com/chapter/10.1007%2F978-1-4614-7909-3_28, 2014.
COMPARATIVE ANALYSIS OF MOBILITY AND DOPANT NUMBER FLUCTUATION MODELS FOR THE THRESHOLD VOLTAGE FLUCTUATION ESTIMATION IN 45 NM CHANNEL LENGTH MOSFET DEVICE
VASILESKA, D., ASHRAF, N., WIRTH, G. I., SRINIVASAN, P., , COMPARATIVE ANALYSIS OF MOBILITY AND DOPANT NUMBER FLUCTUATION MODELS FOR THE THRESHOLD VOLTAGE FLUCTUATION ESTIMATION IN 45 NM CHANNEL LENGTH MOSFET DEVICE. In: Nanoelectronic Device Applications Handbook, ISBN: 9781466565234, CRC Press. http://www.crcpress.com/product/isbn/9781466565234, 2013.
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